BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon y BSC026N04LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC022N04LS6ATMA1 BSC026N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W 63 W
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Recuento de pines 8 —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: max RDS(on)]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C

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