BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon y BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC022N04LS6ATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,24
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W 69 W
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Recuento de pines 8 —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Technology Family — OptiMOS P3
Nivel MSL — 1 (unlimited)

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