BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon et BSC084P03NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC022N04LS6ATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,24
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W 69 W
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Nombre de broches 8 —
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Technology Family — OptiMOS P3
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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