BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N06LS5ATMA1 por Infineon y BSC033N08NS5SCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Activo
Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N06LS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +175C
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Encapsulado — PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Nivel MSL — 1

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