BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N06LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC033N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ 生産中
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BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC027N06LS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.66 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55C to +175C
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
パッケージ — PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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