BSC032N04LSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC032N04LSATMA1 por Infineon y BSC011N03LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC032N04LSATMA1 BSC011N03LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +175°C -55 °C to +150 °C
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS™ 30 V
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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