BSC032N04LSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC032N04LSATMA1 par Infineon et BSC011N03LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC032N04LSATMA1 BSC011N03LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C -55 °C to +150 °C
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS™ 30 V
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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