BSC032N04LSATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC032N04LSATMA1 por Infineon y IPD031N06L3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC032N04LSATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET (Metal Oxide)
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +175°C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C
Series — OptiMOS 3
Nivel MSL — 1 (Unlimited)

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