BSC035N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC035N04LSGATMA1 por Infineon y BSC054N04NSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC035N04LSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

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