BSC035N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC035N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC054N04NSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC035N04LSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
動作温度範囲 — -55C to +150C
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

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