BSC050N03LSGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC050N03LSGATMA1 por Infineon y BSZ065N03LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC050N03LSGATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,36 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC050N03LSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 80 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 5 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 | 1 |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| Encapsulado / Carcasa | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |