BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC052N08NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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