BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC052N08NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (unlimited) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fichas técnicas e recursos

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