BSC054N04NSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC054N04NSGATMA1 por Infineon y BSC035N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC054N04NSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes

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