BSC059N04LSGATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC059N04LSGATMA1 por Infineon y BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC059N04LSGATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,52
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización