BSC059N04LSGATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC059N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC052N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC059N04LSGATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.39 | $0.52 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 73 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 16 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 1.2 V to 2.0 V (typ) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +150 C | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| 動作接合温度 | — | -55C to +150C |