BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRFR5410TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC060P03NS3EGATMA1 por Infineon y IRFR5410TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC060P03NS3EGATMA1 IRFR5410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,71
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -100 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C (TJ)
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) TO-252AA (DPAK), surface mount
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (advanced process, Gen 5)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

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