BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRFR5410TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC060P03NS3EGATMA1 от Infineon и IRFR5410TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon

BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon

BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC060P03NS3EGATMA1 IRFR5410TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,71
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -100 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C (TJ)
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) TO-252AA (DPAK), surface mount
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (advanced process, Gen 5)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену