BSC074N15NS5ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon y IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC074N15NS5ATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $1,92
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: TJ min/max] [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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