BSC074N15NS5ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon et IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC074N15NS5ATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $1,92
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: TJ min/max] [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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