BSC076N04NDATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon y IAUA220N08S5N021AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC076N04NDATMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $2,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS-5 (75V-120V family)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 220 A
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 2.1 mΩ at 10 V V_GS
Power Dissipation (P_D, Tc) — 211 W
Gate-Source Voltage (V_GS max) — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (Tj)
Encapsulado — PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²)
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Estado RoHS — Compliant
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V]
Output Capacitance (C_oss) — [DATA_NEEDED: C_oss typical]
Thermal Resistance (R_thJC) — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

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