BSC076N04NDATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC076N04NDATMA1 제조: Infineon 및 IAUA220N08S5N021AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC076N04NDATMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $2.45
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS-5 (75V-120V family)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 / 케이스 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 220 A
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 2.1 mΩ at 10 V V_GS
Power Dissipation (P_D, Tc) — 211 W
Gate-Source Voltage (V_GS max) — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
동작 온도 범위 — -55C to +175C (Tj)
패키지 — PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²)
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
RoHS 상태 — Compliant
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V]
Output Capacitance (C_oss) — [DATA_NEEDED: C_oss typical]
Thermal Resistance (R_thJC) — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

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