BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon y BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ ActivoInfineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC084P03NS3GATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,24 | $0,66 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 78.6 A | — |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | 6.1 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | -1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 58 nC @ VGS = -10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.19 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 110 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.52 nF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 79 W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS P3 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 (unlimited) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Technology | — | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Recuento de pines | — | 8 |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +175 C (junction) |