BSC0906NSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0906NSATMA1 por Infineon y BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0906NSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,92
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS OptiMOS (Trench)
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (TJ)
Recuento de pines 8 8
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Gate Drive — Logic-level compatible
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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