BSC0906NSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0906NSATMA1 por Infineon e BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0906NSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,92
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS OptiMOS (Trench)
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (TJ)
Contagem de pinos 8 8
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Gate Drive — Logic-level compatible
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fichas técnicas e recursos

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