BSC0911NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0911NDATMA1 por Infineon y BSC035N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0911NDATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A —
Power Dissipation (PD) 1 W —
Encapsulado PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET —
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes

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