BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon y BSC093N15NS5 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,83 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS™ 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Sin halógenos [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Number — BSC093N15NS5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 87 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9.3 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 139 W
AEC-Q100 Automotive Qualified — Not qualified (standard grade)

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