BSC0993NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0993NDATMA1 por Infineon y BSC0501NSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0993NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Encapsulado PG-TISON-8 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Channel Mode Enhancement —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

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