BSC0993NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0993NDATMA1 par Infineon et BSC0501NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0993NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Boîtier PG-TISON-8 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Channel Mode Enhancement —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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