BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC117N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC117N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench MOSFET
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 50 W 69 W
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55C to +150C
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant
Sin halógenos — Yes (per Infineon product page)

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