BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC117N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC117N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench MOSFET
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 50 W 69 W
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55C to +150C
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant
Sans halogène — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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