BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC360N15NS3GATMA1 por Infineon y BSC0993NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC360N15NS3GATMA1 BSC0993NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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