BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC360N15NS3GATMA1 par Infineon et BSC0993NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC360N15NS3GATMA1 BSC0993NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fiches techniques et ressources

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