BSL308PEH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSL308PEH6327XTSA1 por Infineon y BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSL308PEH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,21 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Encapsulado | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Configuration | Dual, common source | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Número de pines | 6 | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Technology | — | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Nivel MSL | — | 1 |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |