BSP135H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP135H6327XTSA1 por Infineon y BSP92PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP135H6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,43 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W 1.8 W (Ta)
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Recuento de pines — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

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