BSP316PH6327XTSA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon y BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP316PH6327XTSA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,24
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulado PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Número de pines 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Technology Family — OptiMOS P3

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