BSP316PH6327XTSA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon e BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP316PH6327XTSA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,24
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Número de pinos 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Technology Family — OptiMOS P3

Fichas técnicas e recursos

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