BSS123NH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS123NH6327XTSA1 por Infineon y BSL316CH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Activo
Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS123NH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,09 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS low-voltage MOSFET
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Recuento de pines — 6
Estado RoHS — Compliant
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

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