BSS123NH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS123NH6327XTSA1 par Infineon et BSL316CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS123NH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS low-voltage MOSFET
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Nombre de broches — 6
Statut RoHS — Compliant
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

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