BSS126H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS126H6327XTSA2 por Infineon y BSS123NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS126H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,09
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Encapsulado SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) -55 °C to +150 °C (junction)
Recuento de pines 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

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