BSS126H6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS126H6327XTSA2 por Infineon y BSS84PH6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS126H6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,10
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Encapsulado SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) —
Recuento de pines 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Polarity — P-Channel Enhancement Mode

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