BSS126H6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS126H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS84PH6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSS126H6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.32 $0.10
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
패키지 SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction, typical) —
핀 수 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
동작 온도 — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Polarity — P-Channel Enhancement Mode

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