BSS138NH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS138NH6327XTSA2 por Infineon y BSS83PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ Activo
Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS138NH6327XTSA2 BSS83PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,11
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Encapsulado PG-SOT-23 (3-pin) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Sin halógenos Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel —
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 330 mA
Pulsed Drain Current (IDM) — 1.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 2.0 ohm (max)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -2.5 V (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 360 mW
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Qualification — Automotive grade per Infineon
Process Technology — SIPMOS / OptiMOS
Estado RoHS — Compliant

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