BSS214NH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS214NH6327XTSA1 por Infineon y BSS806NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS214NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,09 $0,19
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] 1.8 V rated (logic level)
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Encapsulado SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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