BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon y BSP125H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSS214NWH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,15 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Encapsulado | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive / Industrial grade |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Nivel MSL | — | 1 (Unlimited) |