BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS214NWH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP125H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS214NWH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
パッケージ PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive / Industrial grade
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
MSLレベル — 1 (Unlimited)

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