BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP296NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon y BSP296NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,33
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Encapsulado PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 1.2 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 600 mOhm
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Packaging — Tape & Reel, 1000 pcs/reel

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