BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP296NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS214NWH6327XTSA1 von Infineon und BSP296NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,33
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Gehäuse PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 1.2 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 600 mOhm
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Standard Packaging — Tape & Reel, 1000 pcs/reel

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