BSS87H6327FTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS87H6327FTSA1 por Infineon y BSP92PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS87H6327FTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,18 $0,31
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Encapsulado PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Recuento de pines 3 (Gate / Drain / Source) 4 (Gate, Drain, Drain, Source)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

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