BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSZ065N06LS5ATMA1 por Infineon y BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,62 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55C to +150C |
| Nivel MSL | — | 1 (unlimited) |